Logo

Tìm kiếm: Tốc độ nhanh

Seagate Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt Ổ Cứng HAMR - Khởi Động Kỷ Nguyên Lưu Trữ Mới!
Seagate Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt Ổ Cứng HAMR - Khởi Động Kỷ Nguyên Lưu Trữ Mới!

Tin vui cho những tín đồ công nghệ! Sau hơn một thập kỷ nghiên cứu, Seagate cuối cùng cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt ổ cứng Exos Mosaic 3+ sử dụng công nghệ ghi từ hỗ trợ nhiệt (HAMR). Đây là bước ngoặt lớn trong ngành lưu trữ dữ liệu, mở ra kỷ nguyên ổ cứng dung lượng cao, tốc độ nhanh và tiết kiệm năng lượng hơn.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
484
Snapdragon 7 Gen 3: Sức mạnh mới cho smartphone tầm trung
Snapdragon 7 Gen 3: Sức mạnh mới cho smartphone tầm trung

Qualcomm đã chính thức giới thiệu Snapdragon 7 Gen 3, chipset mới nhất dành cho smartphone tầm trung. Chipset này mang đến một số cải tiến đáng kể so với người tiền nhiệm của nó, bao gồm:

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3899
Samsung và SK hynix chạy đua giành vị thế thống trị HBM3
Samsung và SK hynix chạy đua giành vị thế thống trị HBM3

Hai công ty Hàn Quốc, Samsung và SK hynix, đang trong một cuộc đua "nghiêm túc" để giành vị thế thống trị HBM3, khi cả hai đều chứng kiến sự gia tăng mạnh mẽ các đơn đặt hàng từ ngành AI. Zdnet Korea đưa tin rằng Samsung và SK hynix hiện đang dẫn đầu trong lĩnh vực sản xuất và cung cấp HBM cho các khách hàng toàn cầu bao gồm AMD và Nvidia.

Tác giả: Phương Linh Phương Linh
2859
Xiaomi 14 với Snapdragon 8 Gen 3 vượt mặt A17 Pro về hiệu suất đa lõi trong Geekbench 6
Xiaomi 14 với Snapdragon 8 Gen 3 vượt mặt A17 Pro về hiệu suất đa lõi trong Geekbench 6

Điện thoại Xiaomi 14 sắp ra mắt gây bất ngờ với kết quả hiệu suất vượt trội so với đối thủ A17 Pro trong bài kiểm tra đa lõi trên Geekbench 6. Thiết bị Xiaomi 23127PN0CC được phát hiện sở hữu vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 cùng 16GB RAM, đạt điểm số ấn tượng 7,494 trong bài kiểm tra đa lõi, vượt qua con số 7,024 của A17 Pro trên iPhone 15 Pro và iPhone 15 Pro Max.

Tác giả: Phương Anh Phương Anh
1377
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất

Micron đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo của mình cho khách hàng, bao gồm NVIDIA, những người đã khen ngợi hiệu năng và hiệu suất của nó. Trong cuộc gọi thu nhập vào thứ Tư, Micron dự đoán khoản lỗ "lớn hơn" trong quý tới do nhu cầu giảm từ thị trường bộ nhớ tiêu dùng. Tuy nhiên, Micron cũng tiết lộ rằng công ty đã hợp tác chặt chẽ với NVIDIA và bộ nhớ HBM3 Gen2 băng thông cao của họ dự kiến sẽ ra mắt trong các GPU AI và HPC sắp tới của Team Green trong nửa đầu năm 2024.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2423
Wi-Fi 7: Mọi thứ bạn cần biết về thế hệ Wi-Fi tiếp theo
Wi-Fi 7: Mọi thứ bạn cần biết về thế hệ Wi-Fi tiếp theo

Wi-Fi 7 là thế hệ Wi-Fi tiếp theo, được thiết kế để cung cấp tốc độ nhanh hơn, độ trễ thấp hơn và dung lượng mạng lớn hơn so với Wi-Fi 6E. Wi-Fi 7 hiện vẫn đang trong giai đoạn dự thảo và chưa được Wi-Fi Alliance chứng nhận chính thức, nhưng đã có một số router Wi-Fi 7 trên thị trường từ một số nhà sản xuất lớn.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1861
V-Color ra mắt bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp, hướng đến hiệu năng chơi game
V-Color ra mắt bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp, hướng đến hiệu năng chơi game

V-Color vừa giới thiệu dòng bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp mới nhất, được thiết kế để nâng cao hiệu năng chơi game. Trong khi hầu hết các nhà sản xuất bộ nhớ tập trung vào việc tăng tốc độ truyền và băng thông thì V-Color lại tập trung vào việc giảm độ trễ để cung cấp hiệu năng tốt hơn cho người dùng. Các bài kiểm tra trước đây đã chứng minh rằng độ trễ thấp hơn trên các nền tảng mới nhất có thể mang lại hiệu năng tốt hơn so với tốc độ nhanh hơn và độ trễ cao. V-Color cũng hứa hẹn rằng dòng sản phẩm mới nhất của mình có khả năng ép xung cao.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2443
Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024
Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1853
Chọn trang

NewSLiver

[email protected]

Hình ảnh

© newsliver.com. All Rights Reserved.

Tìm kiếm: Tốc độ nhanh

Seagate Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt Ổ Cứng HAMR - Khởi Động Kỷ Nguyên Lưu Trữ Mới!
Seagate Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt Ổ Cứng HAMR - Khởi Động Kỷ Nguyên Lưu Trữ Mới!

Tin vui cho những tín đồ công nghệ! Sau hơn một thập kỷ nghiên cứu, Seagate cuối cùng cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt ổ cứng Exos Mosaic 3+ sử dụng công nghệ ghi từ hỗ trợ nhiệt (HAMR). Đây là bước ngoặt lớn trong ngành lưu trữ dữ liệu, mở ra kỷ nguyên ổ cứng dung lượng cao, tốc độ nhanh và tiết kiệm năng lượng hơn.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
484
Snapdragon 7 Gen 3: Sức mạnh mới cho smartphone tầm trung
Snapdragon 7 Gen 3: Sức mạnh mới cho smartphone tầm trung

Qualcomm đã chính thức giới thiệu Snapdragon 7 Gen 3, chipset mới nhất dành cho smartphone tầm trung. Chipset này mang đến một số cải tiến đáng kể so với người tiền nhiệm của nó, bao gồm:

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3899
Samsung và SK hynix chạy đua giành vị thế thống trị HBM3
Samsung và SK hynix chạy đua giành vị thế thống trị HBM3

Hai công ty Hàn Quốc, Samsung và SK hynix, đang trong một cuộc đua "nghiêm túc" để giành vị thế thống trị HBM3, khi cả hai đều chứng kiến sự gia tăng mạnh mẽ các đơn đặt hàng từ ngành AI. Zdnet Korea đưa tin rằng Samsung và SK hynix hiện đang dẫn đầu trong lĩnh vực sản xuất và cung cấp HBM cho các khách hàng toàn cầu bao gồm AMD và Nvidia.

Tác giả: Phương Linh Phương Linh
2859
Xiaomi 14 với Snapdragon 8 Gen 3 vượt mặt A17 Pro về hiệu suất đa lõi trong Geekbench 6
Xiaomi 14 với Snapdragon 8 Gen 3 vượt mặt A17 Pro về hiệu suất đa lõi trong Geekbench 6

Điện thoại Xiaomi 14 sắp ra mắt gây bất ngờ với kết quả hiệu suất vượt trội so với đối thủ A17 Pro trong bài kiểm tra đa lõi trên Geekbench 6. Thiết bị Xiaomi 23127PN0CC được phát hiện sở hữu vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 cùng 16GB RAM, đạt điểm số ấn tượng 7,494 trong bài kiểm tra đa lõi, vượt qua con số 7,024 của A17 Pro trên iPhone 15 Pro và iPhone 15 Pro Max.

Tác giả: Phương Anh Phương Anh
1377
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất

Micron đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo của mình cho khách hàng, bao gồm NVIDIA, những người đã khen ngợi hiệu năng và hiệu suất của nó. Trong cuộc gọi thu nhập vào thứ Tư, Micron dự đoán khoản lỗ "lớn hơn" trong quý tới do nhu cầu giảm từ thị trường bộ nhớ tiêu dùng. Tuy nhiên, Micron cũng tiết lộ rằng công ty đã hợp tác chặt chẽ với NVIDIA và bộ nhớ HBM3 Gen2 băng thông cao của họ dự kiến sẽ ra mắt trong các GPU AI và HPC sắp tới của Team Green trong nửa đầu năm 2024.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2423
Wi-Fi 7: Mọi thứ bạn cần biết về thế hệ Wi-Fi tiếp theo
Wi-Fi 7: Mọi thứ bạn cần biết về thế hệ Wi-Fi tiếp theo

Wi-Fi 7 là thế hệ Wi-Fi tiếp theo, được thiết kế để cung cấp tốc độ nhanh hơn, độ trễ thấp hơn và dung lượng mạng lớn hơn so với Wi-Fi 6E. Wi-Fi 7 hiện vẫn đang trong giai đoạn dự thảo và chưa được Wi-Fi Alliance chứng nhận chính thức, nhưng đã có một số router Wi-Fi 7 trên thị trường từ một số nhà sản xuất lớn.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1861
V-Color ra mắt bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp, hướng đến hiệu năng chơi game
V-Color ra mắt bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp, hướng đến hiệu năng chơi game

V-Color vừa giới thiệu dòng bộ nhớ DDR5 có độ trễ siêu thấp mới nhất, được thiết kế để nâng cao hiệu năng chơi game. Trong khi hầu hết các nhà sản xuất bộ nhớ tập trung vào việc tăng tốc độ truyền và băng thông thì V-Color lại tập trung vào việc giảm độ trễ để cung cấp hiệu năng tốt hơn cho người dùng. Các bài kiểm tra trước đây đã chứng minh rằng độ trễ thấp hơn trên các nền tảng mới nhất có thể mang lại hiệu năng tốt hơn so với tốc độ nhanh hơn và độ trễ cao. V-Color cũng hứa hẹn rằng dòng sản phẩm mới nhất của mình có khả năng ép xung cao.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2443
Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024
Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1853
Chọn trang